MOSFET热载流子效应退化测试解析
前言
在现代ULSI电路中沟道热载流子 (CHC) 诱导的退化是一个重要的与可靠性相关的问题。载流子在通过MOSFET通道的大电场加速时获得动能。当大多数载流子到达漏极时,热载流子(动能非常高的载流子)由于原子能级碰撞的冲击电离,可以在漏极附近产生电子—空穴对。其他的可以注入栅极通道界面,打破Si-H键,增加界面态密度。CHC的影响是器件参数的时间相关的退化,如VT、IDLIN和IDSAT。
这种通道热载流子诱导的退化(也称为HCI或热载流子注入)在NMOS和PMOS器件上都可以看到,并会影响所有区域的器件参数,如VT、亚阈值斜率、Id-on、Id-off、Ig等。每个参数随应力时间