川土微电子发布CA-IS3212单通道隔离式栅极驱动器

科创闲谈 2025-01-15 趣味人生 94409

川土微电子CMOS输入、带有源米勒钳位(可选)单通道隔离式栅极驱动器新品发布，该系列产品为驱动SiC、IGBT和GaN功率管而优化设计。

01产品概述

CA-IS3212是一系列CMOS输入单通道隔离式栅极驱动器，可提供4A拉、5A灌峰值驱动电流能力，具有出色的动态性能和高可靠性，适用于逆变器、电机控制或隔离开关电源等系统中的大功率Si、SiC、IGBT和GaN功率管的驱动应用。

CA-IS3212提供窄体SOIC8和宽体SOIC8两种封装选型，在控制侧和驱动侧之间采用基于SiO2电容隔离技术，其中宽体SOIC8封装的器件隔离耐压高达5.7kVRMS(1分钟)，增强绝缘等级，支持高达2121VPK的长期隔离工作电压和12.8kVPK的浪涌电压;窄体SOIC8封装的器件隔离耐压是3.75kVRMS(1分钟)，基本绝缘等级，支持990VPK的长期隔离工作电压和6.5kVPK的浪涌电压。CA-IS3212的最小共模瞬态抗扰度(CMTI)为150kV/μs，确保在恶劣的运用环境中信号在隔离栅之间的正确传输。

CA-IS3212针对Si、SiC、IGBT和GaN功率管的不同特性提供不同的功能版本，如下所示：

CA-IS3212Mxx型号内部集成5A有源米勒钳位功能;

CA-IS3212Sxx型号提供OUTH和OUTL分离输出;

CA-IS3212Vxx型号提供COM引脚，以支持驱动侧的双电源供电;

控制侧电源(VCC)和驱动侧电源(VDD-VEE)均内置监测欠压状况的功能，并提供驱动侧不同的欠压锁定(UVLO)检测阈值选项，其中CA-IS3212MYS驱动侧UVLO电压低至4V，专门为GaN功率管的驱动而优化设计。

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本次发布CA-IS3212SCS和CA-IS3212MCG，可提供工程送样，两款器件的特性对比如下：

02产品特性

• 驱动高达2121VPK工作电压的功率管

• 4A峰值拉电流和5A峰值灌电流

• 宽电源电压范围：

- 输入端VCC供电范围：3.0V至5.5V

- 不同欠压锁定(UVLO)选项下的输出驱动供电(VDD–VEE)高达33V：

Y版本：4V

A版本：6V

B版本：8V

C版本：12V

• 多功能选项：

- CA-IS3212M 集成5A有源米勒钳位

- CA-IS3212V 提供COM引脚，支持双电源供电

- CA-IS3212S 提供OUTH和OUTL分离输出

• 40ns(典型值)输入毛刺滤波器

• 匹配的传播延迟：

- 85ns传播延迟(典型值)

- 器件间最大15ns传播延迟失配

- 最大15ns脉冲宽度失真

• 封装选项：

- 8脚宽体SOIC封装，爬电距离和电气间隙>8mm

- 8脚窄体SOIC封装，爬电距离和电气间隙>4mm

• 强大的电气隔离：

- 长寿命：额定电压下超过40年

- 宽体封装下最高可达5.7kVRMS的隔离耐压

- 能承受最高12.8kVPK的浪涌

- 共模瞬态抗扰度(CMTI)大于±150kV/μs

• - 40°C至150°C工作结温(TJ)范围

03应用

• 电机驱动器

• 光伏逆变器

• 车载充电器

• 功率转换系统

• 充电桩电源模块

• 伺服驱动器

• 变频器

• 不间断电源(UPS)

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