等离子体蚀刻工艺对集成电路可靠性的影响
文章来源:学习那些事
原文作者:小陈婆婆
随着集成电路特征尺寸的缩小,工艺窗口变小,可靠性成为更难兼顾的因素,设计上的改善对于优化可靠性至关重要。本文介绍了等离子刻蚀对高能量电子和空穴注入栅氧化层、负偏压温度不稳定性、等离子体诱发损伤、应力迁移等问题的影响,从而影响集成电路可靠性。
集成电路可靠性是产品寿命、稳定性和性能的关键, 晶圆制造阶段的可靠性问题主要源于工艺步骤对器件的潜在损伤。 等离子体蚀刻工艺对集成电路可靠性有广泛且决定性的影响,本文分述如下:
可靠性与失效时间
等离子体蚀刻对高能量电子和空穴注入栅氧化层(HCl)的影响
等离子体蚀刻对负偏压温度不稳定性(