SM5681过压保护芯片:三大终端应用方案全解析
在便携电子设备、车载电子及消费电子设计中,输入电源端口的过压保护(OVP)是保障系统可靠性的关键一环。今天为大家介绍一款高性能、低内阻的过压保护芯片——SM5681,并结合实际应用场景,给出可直接落地的设计方案。
一、SM5681 核心亮点
SM5681 是一款最高支持 30V 输入电压的 OVP 器件,导通内阻低至 35mΩ,具备以下突出特性:
超快响应:输入浪涌发生时,关断时间 <0.1μs,有效保护后端敏感电路
可编程保护阈值:通过外部电阻分压,OVP 电压可在 3.5V~15V 范围内任意设置;FB 引脚悬空时默认 6.1V
使能控制:EN 引脚支持高/低电平开关,可配合主控或机械按键实现电源通断
低功耗:待机电流 <150μA,关断模式下漏电仅 10μA
小封装:提供 SOT23-6 和 DFN2x2-8 两种封装,适合空间受限的便携产品
无论是电子烟、汽车摄像头还是手机充电端口,SM5681 都能为您的产品提供简洁可靠的过压保护方案。
二、封装与 VCC 引脚重要说明
SM5681 的两种封装在供电连接上有区别,请根据所选封装按下表处理:

典型做法(SOT23-6):
在 PCB 上将 VCC 与 VIN 直接短接
建议在 VCC 引脚附近增加一个 0.1μF~1μF 旁路电容(非强制,但有利于高频去耦)
注:本文以下所有方案原理图均以 DFN 封装为例(无 VCC 引脚)。若您使用 SOT23-6,请务必在电路中增加 VCC→VIN 的连接。
三、典型应用方案
方案一:电子烟 – 充电过压保护与按键开关
需求分析
电子烟通过 USB 接口为内部锂电池充电。用户可能误插 9V/12V 快充适配器,导致充电 IC 烧毁。同时需要低待机功耗和按键控制。
电路设计
采用 FB 悬空,OVP 默认为 6.1V(实际范围 5.8~6.4V),超过该电压后 SM5681 在 0.1μs 内切断输出
EN 引脚通过 100kΩ 下拉到地,同时接一个机械按键到 VIN。按下按键时 EN 为高电平,芯片开启;松开后 EN 被拉低,芯片关断
若产品已有 MCU,可直接用 GPIO 控制 EN,实现长按开机等复杂逻辑
关键元件
VIN 对地:10μF/16V 陶瓷电容
VOUT 对地:1μF/10V 陶瓷电容
EN 下拉电阻:100kΩ
实测数据
1A 充电电流下,SM5681 压降 <50mV,几乎无效率损失
关断模式下整机漏电 <10μA,满足电子烟长待机要求
方案二:汽车摄像头 – 12V 系统抛负载保护
需求分析
汽车 12V 电源系统正常电压为 9~16V,但抛负载瞬态脉冲(ISO 7637-2 5a)峰值可达 87V。摄像头内部的 DC-DC 或 LDO 通常耐压不超过 24V,需要前端 OVP 快速切断。
电路设计
使用电阻分压设置 OVP 阈值为 15V(R_top=115kΩ,R_bottom=10kΩ,1%精度)
在 SM5681 的 VIN 前增加 1Ω/2W 串联电阻 和 SMBJ18A TVS 管,将抛负载脉冲钳位至 29.2V 以下,确保 SM5681 输入电压不超过 30V 的绝对最大值
EN 直接接 VIN(常开),或由车身控制器控制
元件选型
TVS:SMBJ18A(击穿电压 20V,最大钳位 29.2V)
串联电阻:1Ω/2W 绕线电阻或浪涌型厚膜电阻(可承受短时大功率)
分压电阻:115kΩ + 10kΩ,1% 精度
验证结果
正常工作时,摄像头电流 <0.5A,串联电阻压降 <0.5V,不影响后端供电
施加 ISO 7637-2 脉冲 5a(87V),SM5681 输入端实测峰值 <29V,芯片安全,输出在超过 15V 时及时关断
方案三:手机/平板 USB 端口过压保护
需求分析
USB VBUS 可能因充电器故障或快充协议异常输出 9V/12V/20V。手机充电 IC 耐压通常为 6.5V 或 12V,需要前端 OVP 保护。
电路设计
若充电 IC 耐压 ≤6.5V:FB 悬空,OVP = 6.1V
若充电 IC 耐压 ≥12V:可设 OVP = 10V(R_top=73.2kΩ,R_bottom=10kΩ)
EN 由主控 GPIO 控制,高电平开启
封装推荐 DFN2x2-8,底部焊盘良好接地以利散热
热设计注意事项
SM5681 最大持续电流受封装热阻限制。以 θJA=100°C/W 保守计算:
3A 持续电流 → 功耗 0.315W → 温升 31.5°C,安全
5A 持续电流 → 功耗 0.875W → 温升 87.5°C,可能超过芯片热关断阈值
建议:持续充电电流控制在 3A 以内;若需支持 4A~5A,必须加强 PCB 散热(大面积覆铜、过孔阵列)并实测验证。
四、设计通用规则
无论哪种应用,请遵循以下设计要点:
1. 电容必不可少
VIN 对地必须放置 10μF 陶瓷电容,VOUT 对地必须放置 1μF 陶瓷电容,且紧靠芯片引脚。耐压需高于输入/输出电压的 1.2 倍。
2. EN 禁止悬空
若不使用使能功能,将 EN 接 VIN(常开)或 GND(常关)。若由 GPIO 控制,保证高电平 >1.0V,低电平 <0.4V。
3. OVP 电阻分压
公式:VOVP=VFB×(1+RtopRbottom)VOVP=VFB×(1+RbottomRtop),VFBVFB 典型 1.2V
R_bottom 建议 10kΩ~47kΩ,电阻精度 1%
FB 走线要短,远离功率回路
4. 热管理
SOT23-6 和 DFN2x2-8 封装在 3A 以上电流时需谨慎设计散热。推荐使用 DFN 封装并充分焊接底部裸露焊盘(打 4~6 个 0.3mm 过孔到地平面)。
5. 封装与 VCC 连接
SOT23-6:必须将 VCC(引脚5)连接到 VIN
DFN2x2-8:无需 VCC 引脚
五、方案对比与选型速查表
六、总结
SM5681 以 35mΩ 超低内阻、<0.1μs 快响应、可编程 OVP 阈值等优势,成为电子烟、汽车摄像头、手机等设备的理想输入保护方案。通过本文提供的三个具体电路设计及封装连接说明,工程师可以快速将其应用到产品中,提升电源端口的鲁棒性。
在实际开发中,请务必参考最新的数据手册,并根据具体工作条件进行热测试和浪涌验证。希望这篇文章能为您的设计带来帮助!
数据来源:泉州海川半导体公开规格书SM5681 规格书 v1.11
审核编辑 黄宇
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