碳化硅衬底 TTV 厚度测量中边缘效应的抑制方法研究
摘要
本文针对碳化硅衬底 TTV 厚度测量中存在的边缘效应问题,深入分析其产生原因,从样品处理、测量技术改进及数据处理等多维度研究抑制方法,旨在提高 TTV 测量准确性,为碳化硅半导体制造提供可靠的质量检测保障。
引言
在碳化硅衬底 TTV 厚度测量过程中,边缘效应是影响测量准确性的重要因素。由于衬底边缘的应力分布不均、表面形貌差异以及测量时边界条件的特殊性,使得边缘区域的测量数据与实际厚度存在偏差,干扰整体 TTV 值的精确计算。有效抑制边缘效应,对于获取准确的 TTV 数据、保障碳化硅器件制造质量具有重要意义。
边缘效应产生原因分析
碳化硅衬底在加工过程中,边缘部分易产生机械损伤、微裂纹等